Efficient Power Conversion Corporation (EPC)
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eGaN® FETs in Hochfrequenz-Resonanzwandlern

Dieser Inhalt wurde von Efficient Power Conversion Corporation (EPC) veröffentlicht

In diesem Whitepaper wird die eGaN FET-Technologie in einem Hochfrequenz-Resonanzwandler eingesetzt. Zuvor wurden die Vorteile von eGaN-FETs in hart schaltenden isolierten und nicht isolierten Anwendungen angesprochen.

Dieses Papier wird die Fähigkeit des eGaN-FET aufzeigen, den Wirkungsgrad und die Ausgangsleistungsdichte in einer weich schaltenden Anwendung zu verbessern, verglichen mit dem, was mit bestehenden Power-MOSFET-Bauelementen erreichbar ist. Ein isolierter hochfrequenter 48-V-Zwischenbuswandler (IBC - Intermediate Bus Converter) mit einem 12-V-Ausgang unter Verwendung einer Resonanztopologie, die oberhalb von 1 MHz arbeitet, wird vorgestellt. 

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